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【簡介】
無壓浸滲SiC／A1新材料集高導(dǎo)熱性、低熱膨脹系數(shù)(并在一定范圍內(nèi)可調(diào))、輕量化幾大優(yōu)勢(shì)于一身，導(dǎo)熱性可與W-Cu相當(dāng)，熱膨脹系數(shù)可與Si、GaAs等芯片，Al2O3,A1N,BeO等瓷件相匹配，比重則不到W-Cu的20％，且可加工性強(qiáng)，成本低，未來可望在封裝領(lǐng)域大量替代W-Cu、Mo-Cu等材料。實(shí)驗(yàn)證明，此復(fù)合材料前處理用有機(jī)溶劑和中性化學(xué)除油，HNO3，HF混合酸液浸蝕后浸鋅，然后化學(xué)鍍鎳，經(jīng)適當(dāng)熱處理后鍍鎳、鍍金，完全能滿足后道封裝工藝要求，器件性能經(jīng)考核完全符合GJB33A-97和GJB128A-97要求。
