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【簡介】
為了提高永磁薄膜陣列的剩磁和最大磁能積，在電鍍制備CoNiMnP永磁薄膜陣列過程中引入少量稀土Nd原子替代部分Ni原子，采用光刻和電鍍技術在5mm×5mm×0．2mm的硅片上設計并制備了2000個大小為50μm×50μm的CoNil-xNdxMnP垂直各向異性永磁薄膜陣列。并對該薄膜陳列的組成、磁性能等進行了分析與測試。結果表明：薄膜陣列的組成為(質(zhì)量分數(shù))：Nd1．90％，Co86．62％，Ni5．68％，Mn2．06％，P3．74％；陣列垂直方向磁性能為：Hc=59．7kA·m^-1，Bc=0．53T，(BH)max=11．3kJ·m^-3；陣列水平方向磁性能為：Hc=27．8kA·m^-1,Bt=0．42T,(BH)max=3．2kJ·m^-3。
