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【專利號(申請?zhí)?】01133187.9
【公開(公告)號】CN1350323
【申請人(專利權)】索尼株式會社
【申請日期】1995-11-22 0:00:00
【公開(公告)日】2002-5-22 0:00:00
公開了一種制造引線框架的方法，包括以下步驟：在高出引線形成基片表面的蝕刻保護層上形成若干引線；部分蝕刻對應引線形成區(qū)域的所述引線形成基片的背面；在所述引線形成基片的引線形成表面上形成焊料保護層，該焊料保護層在突出電極形成的位置處具有開口；采用把所述焊料保護層作為掩膜的電解電鍍方法，在所述引線上形成所述突出電極；在對應所述引線形成區(qū)域的所述引線形成基片的背面蝕刻剩余區(qū)域；和在與形成所述突出電極的表面相對的所述引線表面上粘接具有所述器件槽的所述絕緣保護膜。
