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【專利號(申請?zhí)?】200410069556.2
【公開(公告)號】CN1576397
【申請人(專利權)】中國科學院金屬研究所;北京中康達超微技術應用研究所
【申請日期】2004-7-5 0:00:00
【公開(公告)日】2005-2-9 0:00:00
本發(fā)明公開一種熱生長Cr2O3膜型M-Cr納米復合鍍層及制備方法和應用。其由納米晶的M鍍層和彌散分布其中的納米金屬Cr顆粒組成，其中M為Ni、Fe或Co，按質量百分數計，Cr為納米級顆粒，最低含量可在7.3～13％之間，最高含量為可為最大復合量，目前可達25％，余量為M。制備：以金屬Ni、Fe或Co，碳鋼或低合金鋼為基材，在基材上采用復合電鍍技術共電沉積金屬M和Cr鍍層，制得Ni-Cr、Fe-Cr或Co-Cr納米復合鍍層。本發(fā)明工藝簡單、成熟，易于推廣，生產和維修成本低；還具有復合量高且成分可控、鍍層致密、納米復合鍍層不需要通過真空擴散處理，鍍層在高溫下可直接熱生長保護性的Cr2O3氧化膜的特點，同時具備良好的硬度和抗耐磨性。
