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【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】200410069557.7
【公開(kāi)(公告)號(hào)】CN1576398
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】中國(guó)科學(xué)院金屬研究所;北京中康達(dá)超微技術(shù)應(yīng)用研究所
【申請(qǐng)日期】2004-7-5 0:00:00
【公開(kāi)(公告)日】2005-2-9 0:00:00
本發(fā)明公開(kāi)一種熱生長(zhǎng)Al2O3膜型M-Al納米復(fù)合鍍層及制備方法和應(yīng)用。其成分為沉積的納米晶金屬M和彌散分布其中Al納米顆粒的組合，其中M為Ni、Fe或Co；Al的含量按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)計(jì)，為9.8～35％，余量為M。制備：以金屬Ni、Fe或Co，碳鋼或低合金鋼為基材，在基材上采用共電沉積技術(shù)復(fù)合電鍍金屬M和Al鍍層，制得Ni-Al、Fe-Al或Co-Al納米復(fù)合鍍層。本發(fā)明不僅工藝簡(jiǎn)單、成熟，易于推廣；從經(jīng)濟(jì)角度講，生產(chǎn)和維修成本低。與傳統(tǒng)的用金屬-微米級(jí)金屬粉制備的復(fù)合鍍層相比，還具有1)復(fù)合量高且成分可控；2)鍍層致密；3)納米復(fù)合鍍層不需要通過(guò)真空擴(kuò)散處理，鍍層在高溫下可直接熱生長(zhǎng)保護(hù)性的Al2O3氧化膜等特點(diǎn)。
