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【專利號(申請?zhí)?】200410006409.0
【公開(公告)號】CN1530471
【申請人(專利權(quán))】聯(lián)華電子股份有限公司
【申請日期】2004-2-27 0:00:00
【公開(公告)日】2004-9-22 0:00:00
本發(fā)明提供一種改良的電鍍沉積銅(Electro-Chemical Deposition Copper，ECD-Cu)裝置以及避免銅沉積薄膜生成空穴(cavity)的方法。該電鍍裝置包含有一電解槽，一陽極，設(shè)于該電解槽內(nèi)，以及一旋轉(zhuǎn)平臺，用以放置一作為電鍍沉積陰極的晶圓。本發(fā)明方法是于進行該電鍍銅沉積制程時，控制該旋轉(zhuǎn)平臺以1秒至10秒的周期交替正、逆時針方向旋轉(zhuǎn)，以避免于該電解槽內(nèi)的電鍍?nèi)芤盒纬煞€(wěn)定的漩渦，進而抑制漩渦中的氣泡附著在晶圓表面而于電鍍銅薄膜中形成許多空穴的現(xiàn)象。
