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【專利號(申請?zhí)?】200410104673.8
【公開(公告)號】CN1645479
【申請人(專利權(quán))】株式會社日立制作所
【申請日期】2002-8-30 0:00:00
【公開(公告)日】2005-7-27 0:00:00
薄膜磁頭的制造方法，該薄膜磁頭具有下部磁極、與下部磁極相對設(shè)置的上部磁極和在上、下部磁極之間設(shè)置的磁間隙膜，其特征是在磁間隙膜上，由濺鍍法成膜含有Co、Ni、Fe為10≤Co≤80重量％、0≤Ni≤25重量％和15≤Fe≤90重量％的第1磁性膜、而且在第1磁性膜上由電鍍法成膜含有Co、Ni、Fe為10≤Co≤80重量％、0≤Ni≤25重量％和15≤Fe≤90重量％的第2磁性膜而形成的上部磁極。
