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【專利號(hào)(申請?zhí)?】200410081010.9
【公開(公告)號(hào)】CN1755954
【申請人(專利權(quán))】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
【申請日期】2004-9-30 0:00:00
【公開(公告)日】2006-4-5 0:00:00
一種背孔結(jié)構(gòu)氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法，包括：在藍(lán)寶石等絕緣襯底上依次外延生長N型氮化鎵層，多量子阱發(fā)光有源區(qū)和P型氮化鎵層；光刻刻蝕到N型氮化鎵層內(nèi)，制備P型歐姆接觸電極和N型歐姆接觸電極；劃片將外延片上的管芯分割成單個(gè)管芯；在硅片上雙面生成二氧化硅絕緣隔離層，在正面制備金屬電極，背面光刻出背孔圖形；形成背孔；在硅片正面采用厚膠光刻電鍍凸點(diǎn)圖形；在硅片背面制備一層低熔點(diǎn)的合金，形成管座；在管座背面直接與管殼熱沉相接；將管芯和管座正面通過金屬凸點(diǎn)焊接起來，從硅片正面制作的金屬電極上引出發(fā)光二極管的N電極，從管殼熱沉的背面引出發(fā)光二極管的P電極。
