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【專利號(申請?zhí)?】201010251510.8
【公開(公告)號】CN101974772A
【申請人(專利權(quán))】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
【申請日期】2010-8-11 0:00:00
【公開(公告)日】2011-2-16 0:00:00
一種氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移襯底的二次電鍍方法，包括：選擇一外延結(jié)構(gòu)，該外延結(jié)構(gòu)包括藍寶石襯底和氮化鎵LED層；在氮化鎵LED層上采用電鍍方法制作一次電鍍層；對一次電鍍層進行減薄拋光處理，使其表面光亮平整；用激光刻劃方法在一次電鍍層的表面上制作激光刻劃圖形，作為光刻對準標記；運用光刻方法，通過前烘，勻膠，曝光，顯影，堅膜，在一次電鍍層上形成光刻膠圖形，該光刻膠圖形覆蓋一次電鍍層周邊部分面積；繼續(xù)電鍍，在一次電鍍層和光刻膠圖形上制作二次電鍍層；剝離光刻膠圖形的光刻膠，裸露出光刻膠圖形下的一次電鍍層，該一次電鍍層和二次電鍍層構(gòu)成氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移襯底；清洗吹干，完成垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移襯底的制作。
