??
NiS04濃度對(duì)電沉積的影響見圖1[1]。
圖1 NiS04濃度對(duì)電沉積的影響一。
-○-η％；-口-M0／％(原子)
由圖1可見：
①硫酸鎳含量為零時(shí)，電流效率η為零，鉬不能單獨(dú)沉積；
②硫酸鎳濃度增加，陰極電流效率增加，鍍層中鉬含量降低。
參考文獻(xiàn)
1 曾躍，姚素薇，郭鶴桐．非晶態(tài)Ni-M0合金的電沉積．電鍍與精飾，1994，16(3)：9～12
NiS04濃度對(duì)電沉積的影響見圖1[1]。
圖1 NiS04濃度對(duì)電沉積的影響一。
-○-η％；-口-M0／％(原子)
由圖1可見：
①硫酸鎳含量為零時(shí)，電流效率η為零，鉬不能單獨(dú)沉積；
②硫酸鎳濃度增加，陰極電流效率增加，鍍層中鉬含量降低。
參考文獻(xiàn)
1 曾躍，姚素薇，郭鶴桐．非晶態(tài)Ni-M0合金的電沉積．電鍍與精飾，1994，16(3)：9～12
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
