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(10)申請(qǐng)公布號(hào) CN 102618833 A (43)申請(qǐng)公布日2012. 08. 01
(21)申請(qǐng)?zhí)?201210110485. 0
(22)申請(qǐng)日 2012. 04. 16
(71)申請(qǐng)人東海縣海峰電子有限公司
地址222300江蘇省連云港市東海縣駝峰鄉(xiāng) 工業(yè)集中區(qū)
(72)發(fā)明人朱木典
(74)專利代理機(jī)構(gòu)南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206
代理人劉喜蓮
(51) Int. CI.
C23C 14/24{2006. 01)
C23C 14/18 {2006. 01)
(54)發(fā)明名稱
耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法
(57)摘要
本發(fā)明是一種耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜 方法，它以硅酸鎵鑭晶體片或者二氧化硅晶體片 為載體，采用蒸鍍的方式在晶體片的正反兩面鍍 上金與銀組合而成的合金膜;合金膜中，金占其 重量的10% ;蒸鍍時(shí)，將晶體片置于分子泵鍍膜機(jī) 的夾具中，按重量配比將金、銀合金材料置于分子 泵鍍膜機(jī)的鉬舟上;啟動(dòng)分子泵鍍膜機(jī)，在真空 狀態(tài)下加熱放置金、銀合金材料的鉬舟，至金、銀 合金材料升華并鍍至晶體片的一面上形成合金膜 后，翻轉(zhuǎn)夾具，采用相同的方式將金、銀合金材料 鍍至晶體片的另一面上。采用本發(fā)明方法制成的 晶體片，鍛膜的耐高溫能力有效地提高，膜的附著 力更強(qiáng)，不容易脫落，其老化率降低，延緩老化，使 其性能更穩(wěn)定，有效地提高了晶振的合格率和使 用壽命。
1. 一種耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法，其特征在于：它以硅酸鎵鑭晶體片或者二 氧化硅晶體片為載體，采用蒸鍍的方式在晶體片的正反兩面鍍上金與銀組合而成的合金 膜;合金膜中，金占其重量的10~50%;蒸鍍時(shí)，將晶體片置于分子泵鍍膜機(jī)的夾具中，按重 量配比將金、銀合金材料置于分子泵鍍膜機(jī)的鑰舟上;啟動(dòng)分子泵鍍膜機(jī)，在真空狀態(tài)下 加熱放置金、銀合金材料的鑰舟，至金、銀合金材料升華并鍍至晶體片的一面上形成合金膜 后，翻轉(zhuǎn)夾具，采用相同的方式將金、銀合金材料鍍至晶體片的另一面上，即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法，其特征在于：鍍膜時(shí)，分 子泵鍍膜機(jī)的真空度為1. 3X 10_2?6. 7X 10_3 Mpa。
耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種晶振晶體片的加工方法，特別是一種耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法。
背景技術(shù)
[0002] 晶振的全稱為晶體振蕩器(Crystal Oscillators),其作用在于產(chǎn)生原始的時(shí)鐘 頻率，晶振經(jīng)過頻率發(fā)生器的放大或縮小后就成了電腦中各種不同的總線頻率。晶體片也 稱頻率片，它是晶振的主體部件，在生產(chǎn)晶振時(shí)，需要對(duì)頻率片進(jìn)行鍍膜處理，用于調(diào)節(jié)晶 體片的頻率，同時(shí)起導(dǎo)電作用，形成磁場(chǎng)。現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)晶體片鍍膜處理時(shí)，所鍍的膜均為 銀材料膜，其缺陷是：所鍍的銀膜在使用時(shí)不容易附著，容易老化脫落，從而影響了晶振的 使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容
[0003] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種設(shè)計(jì)更為合理、鍍 膜附著能力強(qiáng)、有效延長(zhǎng)了晶振的使用壽命的耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法。
[0004] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是通過以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。本發(fā)明是一種耐高 溫晶振晶體片的真空鍍膜方法，其特點(diǎn)是：它以硅酸鎵鑭晶體片或者二氧化硅晶體片為載 體，采用蒸鍍的方式在晶體片的正反兩面鍍上金與銀組合而成的合金膜;合金膜中，金占其 重量的10?50% ;蒸鍍時(shí)，將晶體片置于分子泵鍍膜機(jī)的夾具中，按重量配比將金、銀合金 材料置于分子泵鍍膜機(jī)的鑰舟上;啟動(dòng)分子泵鍍膜機(jī)，在真空狀態(tài)下加熱放置金、銀合金材 料的鉬舟，至金、銀合金材料升華并鍍至晶體片的一面上形成合金膜后，翻轉(zhuǎn)夾具，采用相 同的方式將金、銀合金材料鍍至晶體片的另一面上，即可。
[0005] 本發(fā)明所述的耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法技術(shù)方案中：鍍膜時(shí)，分子泵鍍 膜機(jī)的真空度優(yōu)選為1. 3X 10_2?6. 7 X 10_3 Mpa。
[0006] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明方法設(shè)計(jì)合理，可操作性強(qiáng)。采用本發(fā)明方法制成的晶體 片，鍍膜的耐高溫能力有效地提高，采用金、銀材料合金膜可以有效地減少阻抗，膜的附著 力更強(qiáng)，不容易脫落。按常規(guī)方法制成晶振后，可以有效地降低其上機(jī)不良率，老化率降低， 延緩老化，使其性能更穩(wěn)定，有效地提高了晶振的合格率和使用壽命。
具體實(shí)施方式
[0007] 以下進(jìn)一步描述本發(fā)明的具體技術(shù)方案，以便于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)一步地理解 本發(fā)明，而不構(gòu)成對(duì)其權(quán)利的限制。
[0008] 實(shí)施例1，一種耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法，它以硅酸鎵鑭晶體片或者二氧 化硅晶體片為載體，采用蒸鍍的方式在晶體片的正反兩面鍍上金與銀組合而成的合金膜; 合金膜中，金占其重量的10%;蒸鍍時(shí)，將晶體片置于分子泵鍍膜機(jī)的夾具中，按重量配比 將金、銀合金材料置于分子泵鍍膜機(jī)的鑰舟上;啟動(dòng)分子泵鍍膜機(jī)，在真空狀態(tài)下加熱放置金、銀合金材料的鉬舟，至金、銀合金材料升華并鍍至晶體片的一面上形成合金膜后，翻轉(zhuǎn) 夾具，采用相同的方式將金、銀合金材料鍍至晶體片的另一面上，即可。
[0009] 實(shí)施例2，一種耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法，它以硅酸鎵鑭晶體片或者二氧 化硅晶體片為載體，采用蒸鍍的方式在晶體片的正反兩面鍍上金與銀組合而成的合金膜; 合金膜中，金占其重量的50% ;蒸鍍時(shí)，將晶體片置于分子泵鍍膜機(jī)的夾具中，按重量配比 將金、銀合金材料置于分子泵鍍膜機(jī)的鉬舟上;啟動(dòng)分子泵鍍膜機(jī)，在真空狀態(tài)下加熱放置 金、銀合金材料的鉬舟，至金、銀合金材料升華并鍍至晶體片的一面上形成合金膜后，翻轉(zhuǎn) 夾具，采用相同的方式將金、銀合金材料鍍至晶體片的另一面上，即可。
[0010] 取按本實(shí)施例鍍膜方法得到的晶體片制得的產(chǎn)品，與傳統(tǒng)鍍膜方法制得的晶體片 制得的產(chǎn)品進(jìn)行對(duì)比，10MHz石英晶體對(duì)比加工后的產(chǎn)品高低溫測(cè)試數(shù)據(jù)參見下表：
