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氟硅酸根離子在鍍鉻過程中起著與硫酸根離子相類似的作用，除此之外，它還具有某些方面的特點。例如鉻層容易鈍化，在鍍鉻過程中因電流中斷或進行二次鍍鉻(不另加其它措施)時，所獲得的鍍層為乳白而無光澤。但是在有氟硅酸根離子存在下，它具有使鉻層表面活化的作用，當電流中斷或二次鍍鉻時，仍能獲得光亮的鉻層。又如小零件滾鍍鉻，如果在一般標準鍍鉻液內(nèi)進行，就難于獲得光亮的鉻層，滾鍍鉻液內(nèi)通常含有氟硅酸根就是這個道理。
一般采用氟硅酸或氟硅酸鈉來提供氟硅酸根離子。
氟硅酸根離子另一特點是能在低溫(18～25℃)低電流密度(2～2.5A/d㎡)下獲得光亮的鉻層。當溫度達45℃時，可獲得光亮鉻層的電流效率為19～21%，而在標準鍍鉻液中則為13%。
含有氟硅酸根離子的電解液，隨著溫度上升，其工作范圍比含有硫酸根離子的電解液為寬。
氟硅酸根離子的主要缺點是對工件、鍍槽、陽極的腐蝕性大，槽液維護要求高。當鍍液含有3克/升以上的鐵離子時，就會嚴重影響鉻層的光澤與鍍液的分散能力，降低工作范圍及電流效率。因此若以氟硅酸根離子完全代替硫酸根離子的鍍鉻電解液，由于上述的缺陷，不能長期很好地生產(chǎn)。而采用氟硅酸根和硫酸根離子配合的鍍鉻電解液，應用較廣。
