脈沖激光沉積CuF2薄膜的電化學性能

摘要: 采用脈沖激光沉積法在不銹鋼基片上制備了納米結(jié)構(gòu)的CuF₂薄膜, 其充放電性能顯示該薄膜具有540mAh·g^-1可逆容量,對應(yīng)于每個CuF₂可與2.0 個Li發(fā)生反應(yīng).其循環(huán)伏安特性顯示在2.2 和2.8 V (vs Li/Li⁺)處出現(xiàn)了一對新的氧化還原峰. 充放電后薄膜的組成與結(jié)構(gòu)通過非原位高分辨電子顯微和選區(qū)電子衍射來表征. 結(jié)果揭示了納米結(jié)構(gòu)CuF₂薄膜的電化學反應(yīng)機理, LiF在過渡金屬Cu 的驅(qū)動下可以發(fā)生可逆的分解和形成。

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