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等離子體增強(qiáng)膜沉積

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-10-13??瀏覽次數(shù):439 ??關(guān)注:加關(guān)注
核心提示:公開日 20070102發(fā)明人 HARTIG K受讓人 Cardinal CG Company鍍膜的方法及設(shè)備。在某些實(shí)例中給出了一個(gè)包括基體沉膜區(qū)域及電極清

公開日 20070102

發(fā)明人 HARTIG K

受讓人 Cardinal CG Company

鍍膜的方法及設(shè)備。在某些實(shí)例中給出了一個(gè)包括基體沉膜區(qū)域及電極清洗區(qū)域的沉積室。在這些實(shí)例中,電極置于沉積室中并具有一個(gè)內(nèi)腔,其中放置第一和第二磁鐵系統(tǒng)。在某些實(shí)例中給出了采用具有上述特性的沉積室進(jìn)行膜沉積的方法。本發(fā)明還提供了用于膜沉積設(shè)備的電極裝置。在某些實(shí)例中,電極部件由一個(gè)具有內(nèi)腔的可旋轉(zhuǎn)電極(其外表面可涂覆碳或類似物質(zhì))組成,其內(nèi)腔中放置了靜止不動(dòng)且極性相反的第一和第二磁鐵系統(tǒng)。

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