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電沉積法制備用于一維納米材料電子輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量的基底

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-09-19??瀏覽次數(shù):569 ??關(guān)注:加關(guān)注
核心提示:摘要:應(yīng)用電沉積方法制備兩種低粗糙度、具有導(dǎo)電/絕緣交接結(jié)構(gòu)的測(cè)量基地Au/CuO 和HOPG/CuO,并在帶導(dǎo)電針尖的原子力顯微測(cè)量(

摘要:應(yīng)用電沉積方法制備兩種低粗糙度、具有導(dǎo)電/絕緣交接結(jié)構(gòu)的測(cè)量基地—Au/CuO 和HOPG/CuO,并在帶導(dǎo)電針尖的原子力顯微測(cè)量(CT-AFM)平臺(tái)上建立了簡(jiǎn)便的一維納米材料軸向電子輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量方法、在大氣室溫條件下,對(duì)組裝在兩種基底上的單束碳納米管軸向電學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了定性測(cè)量,結(jié)果表明,該碳納米管呈現(xiàn)金屬性。

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