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不同表面活性劑對電沉積半金屬Bi膜的影響

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-09-13??瀏覽次數(shù):460 ??關(guān)注:加關(guān)注
核心提示:摘要:采用電沉積方法在氧化銦錫玻璃(ITO)基板上制備出Bi薄膜,研究了陽離子表面活性劑十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)、陰離子

摘要:采用電沉積方法在氧化銦錫玻璃(ITO)基板上制備出Bi薄膜,研究了陽離子表面活性劑十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)、陰離子表面活性劑十二烷基磺酸鈉(SDS)以及非離子表面活性劑(Brij56)對Bi3+的循環(huán)伏安行為、Bi膜的結(jié)構(gòu)以及表面形態(tài)等的影響。通過X射線衍射(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)對Bi膜的表面結(jié)構(gòu)形態(tài)進行了表征。結(jié)果表明,Brj56對Bi納米顆粒的形態(tài)影響較小,以CTAB和SDS為添加劑可分別獲得片狀和樹枝狀結(jié)構(gòu)的Bi納米顆粒。

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