??
摘要：以沒有去除阻擋層的陽極氧化鋁膜作為模板，在溶解有ZnCl2和單質(zhì)硫的二甲基亞砜溶液中進(jìn)行直流電沉積，并將電沉積所得的樣品在不同氣氛下退火。SEM，TEM及拉曼光譜的結(jié)果表明，采用上述工藝制備的納米線長幾個(gè)微米，直徑為30nm左右，為多晶，在N2氣氛下退火得到的是立方相ZnS納米線，空氣氣氛下退火得到的是六方相ZnO納米線，由于納米線的尺寸限制效應(yīng)及晶格畸變，拉曼譜中的峰位向短波數(shù)移動(dòng)。
摘要：以沒有去除阻擋層的陽極氧化鋁膜作為模板，在溶解有ZnCl2和單質(zhì)硫的二甲基亞砜溶液中進(jìn)行直流電沉積，并將電沉積所得的樣品在不同氣氛下退火。SEM，TEM及拉曼光譜的結(jié)果表明，采用上述工藝制備的納米線長幾個(gè)微米，直徑為30nm左右，為多晶，在N2氣氛下退火得到的是立方相ZnS納米線，空氣氣氛下退火得到的是六方相ZnO納米線，由于納米線的尺寸限制效應(yīng)及晶格畸變，拉曼譜中的峰位向短波數(shù)移動(dòng)。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
