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磁場下電沉積制備CuCo 顆粒膜的巨磁電阻效應

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-08-30??瀏覽次數(shù):454 ??關注:加關注
核心提示:摘要:在磁場下電沉積制備CuCo功能膜材料,研究膜層的巨磁電阻效應及磁性能。應用X射線衍射儀(XRD)對鍍層微觀結構隨熱處理溫度

摘要:在磁場下電沉積制備CuCo功能膜材料,研究膜層的巨磁電阻效應及磁性能。應用X射線衍射儀(XRD)對鍍層微觀結構隨熱處理溫度的變化進行分析,采用四引線法及振動樣品磁強計(VSM)測量膜層的磁性能。磁阻測試發(fā)現(xiàn):磁感應強度為0.6T下制備的CuCo顆粒膜經(jīng)500℃真空退火處理1h后,其巨磁電阻值較無磁場下制備的提高約25%,這是由于0.6T下制備的顆粒膜晶粒較致密,同時磁場減少了膜層內部缺陷,如雜質、夾雜等。樣品磁滯回線表明:500℃真空退火處理1h后膜層具有最佳的磁性能,此時膜層中的單磁疇磁性粒子有助于提高巨磁電阻值。CuCo顆粒膜電沉積制備過程中施加磁場可以改善膜層的微觀結構,使其具有更高的巨磁電阻效應。

   磁場下電沉積制備CuCo顆粒膜的巨磁電阻效應.pdf
 

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