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【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】200410074623.X
【公開(kāi)(公告)號(hào)】CN1603458
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】蔡育平
【申請(qǐng)日期】2004-9-9 0:00:00
【公開(kāi)(公告)日】2005-4-6 0:00:00
本發(fā)明涉及一種軟磁鐵氧體磁心磁控濺射真空鍍銀工藝。包括下列步驟：在負(fù)偏壓300-400V用不銹鋼靶材對(duì)軟磁鐵氧體磁心進(jìn)行轟擊清洗；在負(fù)偏壓50-80V用不銹鋼靶材對(duì)軟磁鐵氧體磁心鍍過(guò)渡層0.5-1微米；在負(fù)偏壓50-80V交替鍍不銹鋼膜層與銀膜層，膜厚為1-2微米；在負(fù)偏壓50-80V鍍純銀膜層3-5微米；在負(fù)偏壓0V鍍純銀膜層0.5-1微米。軟磁鐵氧體磁心經(jīng)此工藝沉積的銀電極，膜厚5-8微米，較化學(xué)方法的20-30微米鍍膜厚度大大節(jié)省原材料，能抗420℃錫爐焊接4分鐘以上，而90％的銀電極仍然可焊接。
