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【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】00802937.7
【公開(公告)號(hào)】CN1337064
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】阿托特德國(guó)有限公司
【申請(qǐng)日期】2000-1-11 0:00:00
【公開(公告)日】2002-2-20 0:00:00
本發(fā)明涉及在生產(chǎn)集成電路時(shí)在半導(dǎo)體基底(晶片)1的表面上由高純銅電鍍形成導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，該半導(dǎo)體基底的表面具有一些凹穴2。該方法包括下列方法步驟：a.在具有凹穴2的半導(dǎo)體基底1的表面上涂以全表面基礎(chǔ)金屬層，以獲得足以進(jìn)行電解淀積的導(dǎo)電性；b.采用電解金屬淀積法，通過將該半導(dǎo)體基底與銅淀積浴接觸，在該基礎(chǔ)金屬層上全表面淀積均勻?qū)雍竦你~層3，該銅淀積浴包含至少一種銅離子源、至少一種用以控制該銅層物理－機(jī)械性能的添加劑化合物以及Fe(II)和/或Fe(III)化合物，和在該半導(dǎo)體基底和尺寸穩(wěn)定的、不溶于淀積浴并與其接觸的反電極之間施加電壓，使電流在該半導(dǎo)體基底1和反電極之間流通；c.將該銅層3結(jié)構(gòu)化。
