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【專利號(申請?zhí)?】200510048899.5
【公開(公告)號】2005.11.25
【申請人(專利權(quán))】中央硝子株式會社
【申請日期】2005-11-25 0:00:00
【公開(公告)日】2006-7-12 0:00:00
一種通過離子電鍍裝置在基板上形成ITO透明導(dǎo)電膜的方法，包括步驟： (a)從壓力梯度型等離子體槍在真空室中產(chǎn)生等離子束；(b)用該等離子束照射ITO源，以加熱和蒸發(fā)該ITO源；(c)通過等離子體氣氛將該蒸發(fā)的ITO源離子化；和(d)在該基板上沉積該離子化的ITO源，以在該基板上形成該ITO 透明導(dǎo)電膜。該方法特征在于，至少在步驟(d)期間，將該基板的溫度調(diào)整到 80-145℃，以及至少在步驟(d)期間，將每單位時間和每單位面積從該ITO源入射到該基板上的輻射熱調(diào)整到1.5-10.0J/cm2□min的范圍。所得到的ITO透明導(dǎo)電膜具有從1.2×10-4到3.0×10-4Ω□cm的電阻率。
