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【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】91106640.3
【公開(公告)號(hào)】CN1064508
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】湖南省機(jī)械研究所
【申請(qǐng)日期】1991-2-28 0:00:00
【公開(公告)日】1992-9-16 0:00:00
一種交變電場真空離子沉積方法及設(shè)備，在工件上施加交變電場取代已知技術(shù)中的直流負(fù)偏壓，使設(shè)備制造成本大幅度地降低，運(yùn)行更穩(wěn)定，沉積層質(zhì)量更優(yōu)良。設(shè)備中配備新結(jié)構(gòu)真空陰極電弧靶，可使靶材利用率提高到近１００％，且可進(jìn)行任意指定元素種類和成分的高速（０．１～０．５ｍｍ／ｈ）。低溫（≤５６０℃）離子表面合金化及離子鍍膜，在工業(yè)大生產(chǎn)規(guī)模上取代滲碳、滲氮、多元共滲 等化學(xué)熱處理以及鍍鉻之類的某些電鍍及鍍氮化鈦之類的真空離子鍍膜。
