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【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】200410101872.3
【公開(公告)號(hào)】CN1799986
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
【申請(qǐng)日期】2004-12-30 0:00:00
【公開(公告)日】2006-7-12 0:00:00
一種高高寬比深亞微米、納米金屬結(jié)構(gòu)的三層制作工藝，步驟如下： 1.在硅片上淀積薄鉻薄金層；2.在薄鉻薄金層表面甩底層光刻膠，并前烘固化；3.淀積中間絕緣層；4.涂頂層電子束光刻膠，進(jìn)行電子束光刻；5.各向異性刻蝕中間絕緣層圖形；6.各向異性刻蝕底層光刻膠圖形；7.將片子放在電鍍液中電鍍高高寬比深亞微米、納米金屬結(jié)構(gòu)； 8.去除中間絕緣層圖形；9.去除底層光刻膠圖形；10.去薄鉻薄金層，完成高高寬比深亞微米、納米金屬結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的工藝，采用三層膠圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)，一次正面電子束光刻，二次各向異性刻蝕進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移獲得高高寬比深亞微米、納米金屬結(jié)構(gòu)，能滿足納米尺度的微機(jī)械系統(tǒng)元件要求，并大批量生產(chǎn)。
