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【專利號(申請?zhí)?】200510027569.8
【公開(公告)號】CN1718534
【申請人(專利權(quán))】上海交通大學(xué)
【申請日期】2005-7-7 0:00:00
【公開(公告)日】2006-1-11 0:00:00
一種屬于微細加工技術(shù)領(lǐng)域的反應(yīng)離子深刻蝕加工微結(jié)構(gòu)的側(cè)壁鈍化方法，本發(fā)明采用模壓或商品有機玻璃為被刻蝕材料，用鎳掩膜電鍍的方法實現(xiàn)圖形化，以氧氣為主刻蝕氣體，采用側(cè)壁鈍化技術(shù)，即往主刻蝕氣體中加入40％～50 ％的CHF3在側(cè)壁形成鈍化層，并調(diào)整刻蝕氣體成分、氣壓和功率以控制側(cè)壁刻蝕速率，達到側(cè)壁鈍化而圖形底部被垂直刻蝕的效果。本發(fā)明利用反應(yīng)離子深刻蝕技術(shù)對高分子聚合物PMMA進行深刻蝕，側(cè)壁鈍化技術(shù)控制側(cè)壁鉆蝕現(xiàn)象，直接得到高深寬比塑料三維微結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)一種成本低、適于MEMS的高深寬比微加工方法。
