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【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】03808166.0
【公開(公告)號(hào)】CN1685086
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】ACM研究公司
【申請(qǐng)日期】2003-4-11 0:00:00
【公開(公告)日】2005-10-19 0:00:00
在本發(fā)明的一個(gè)方案中，提供了示例性方法以在晶片上電鍍導(dǎo)電膜。方法包括第一密度的凹槽區(qū)上金屬層平坦之前在第一電流密度范圍內(nèi)在具有凹槽區(qū)和非凹槽區(qū)上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上電鍍金屬層，凹槽區(qū)上的金屬層平坦之后在第二電流密度范圍內(nèi)電鍍。第二電流密度范圍大于第一電流密度范圍。在一個(gè)例子中，方法還包括在第二電流密度范圍內(nèi)電鍍直到第二密度的凹槽區(qū)之上的金屬層平坦，第二密度大于第一密度，此后在第三電流密度范圍內(nèi)電鍍。
