??
【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】200480015078.5
【公開(kāi)(公告)號(hào)】CN1799111
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】TDK株式會(huì)社
【申請(qǐng)日期】2004-6-24 0:00:00
【公開(kāi)(公告)日】2006-7-5 0:00:00
一種R-T-B系永磁體(1)，其具有磁體基體(2)和包覆在磁體基體(2)表面上的保護(hù)膜(3)，所述磁體基體(2)由至少含有主相和晶界相的燒結(jié)體構(gòu)成，而且在其表層部形成有富氫層(21)，該富氫層(21)中氫濃度達(dá)300ppm或以上的厚度為300μm或以下(不含0μm)，其中所述主相由R2T14B晶粒(其中，R為稀土類元素的 1種、2種或更多種，T為以Fe或者Fe和Co為必須成分的1種、2 種或更多種的過(guò)渡金屬元素)構(gòu)成，所述晶界相比該主相含有更多的 R。根據(jù)該R-T-B系永磁體(1)，其不使磁特性退化而能夠使形成有保護(hù)膜(3)的R-T-B系永磁體(1)的耐蝕性得以提高。另外，對(duì)采用電鍍方法進(jìn)行的保護(hù)膜(3)的形成也可能適用，且生產(chǎn)效率幾乎不會(huì)降低，能夠充分確保作為形成保護(hù)膜(3)的本來(lái)目的的耐蝕性。再者，能夠提供表面部分的局部損壞(顆粒脫落)受到抑制、尺寸精度較高的R-T-B系永磁體(1)。
