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【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】02108543.9
【公開(公告)號(hào)】CN1448334
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院
【申請(qǐng)日期】2002-4-1 0:00:00
【公開(公告)日】2003-10-15 0:00:00
本發(fā)明是有關(guān)一種納米碳管(carbon nanotubes)的合成方法，尤其是有關(guān)一種通過低溫?zé)峄瘜W(xué)氣相沉積的方式在一含有三明治架構(gòu)活性觸媒系統(tǒng)的基材上直接成長(zhǎng)納米碳管的方法。經(jīng)由低溫?zé)峄瘜W(xué)氣相沉積反應(yīng)，納米碳管被直接成長(zhǎng)在一具有三層金屬層的基材表面上，以作為場(chǎng)發(fā)射顯示器的場(chǎng)發(fā)射電子源。該三層金屬層包含一層活性金屬觸媒，其被夾在一位于該基材上的金屬擔(dān)體層及一覆蓋金屬層之間。該活性金屬觸媒為鐵、鈷、鎳或其合金，該金屬擔(dān)體與覆蓋金屬則可分別為金、銀、銅、鈀、鉑或其合金，及這三層金屬層可通過真空濺鍍、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、網(wǎng)印或電鍍的方式被形成。
