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【專利號(申請?zhí)?】CN00811809.4
【公開(公告)號】CN1370245
【申請人(專利權)】株式會社日礦材料
【申請日期】2000-5-26 0:00:00
【公開(公告)日】2002-9-18 0:00:00
在填充在半導體晶片上形成的配線(LSI)圖案的微細通路或溝道時，用含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的銅電鍍液進行電鍍，或者用含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的銅電鍍用前處理液浸漬之后進行電鍍。這樣，通過向電鍍液中添加銅溶解抑制成分，或者用含銅溶解抑制成分的溶液進行前處理，可以抑制覆蓋度差的銅籽晶層的溶解，防止空隙、裂縫等缺陷的發(fā)生。
【主權項】
權利要求書 1.銅電鍍液，其特征在于含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑。
