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二氧化硅膜是防止玻璃中堿金屬離子進(jìn)入ITO膜的透明阻擋層，是當(dāng)時(shí)國內(nèi)外ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)產(chǎn)業(yè)規(guī)模生產(chǎn)的瓶頸難題。該項(xiàng)目在我國首次突破了中頻反應(yīng)雙靶磁控濺射制備二氧化硅膜的關(guān)鍵技術(shù)，使沉積效率達(dá)到傳統(tǒng)射頻濺射的五倍以上，且具運(yùn)行穩(wěn)定、膜層致密和設(shè)備投資少等特點(diǎn);同時(shí)首次突破了中頻反應(yīng)濺射制備二氧化硅膜與直流濺射制備ITO膜在線聯(lián)鍍的關(guān)鍵技術(shù)，從99年中起實(shí)現(xiàn)了大批量的規(guī)模生產(chǎn)。
完成單位：清華大學(xué) 深圳豪威真空光電子股份有限公司
聯(lián)系電話：(010)6278180062785001
郵政編碼：100084
成果類別：應(yīng)用技術(shù)
成果水平：國際先進(jìn)
限制使用：國內(nèi)
成果密級：非密
鑒定日期：20011017
應(yīng)用行業(yè)：工程和技術(shù)研究與試驗(yàn)發(fā)展
鑒定部門：教育部
轉(zhuǎn)讓方式：其他
分類號：TB383
