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采用O2等離子體及HF溶液對AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料進(jìn)行表面處理后，Ni/Au肖特基接觸特性比未處理有了明顯改善，反向泄漏電流減小3個數(shù)量級．對制備的肖特基接觸進(jìn)行200-600~C 5mln的N2氣氛退火，發(fā)現(xiàn)退火冷卻后肖特基反向泄漏電流隨退火溫度增大進(jìn)一步減小． 氣中60o℃退火后肖特基二極管D 特性曲線在不同頻率下一致性變好，這表明退火中Nj向材料表面擴散減小了表面陷阱密度；C-V特性曲線隨退火溫度增大向右移動，從二維電子氣耗盡電壓絕對值減小反映了肖特基勢壘的提高。
