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公司基本資料信息
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鋁箔的下道工序腐蝕和化成，也是腐蝕化成箔（又稱電極箔）產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵的環(huán)節(jié)：
1) 腐蝕過程是以電子光箔為原材料，通過電化學(xué)方法刻蝕（Etching）電子光箔表面形成孔洞，從而增加陰極、陽極光箔的表面積，以提高其比電容而制成腐蝕箔；腐蝕技術(shù)決定比容高低——比容越高，電極箔需使用面積越小，電容器體積越小。
2) 化成（Forming）是陽極腐蝕箔采用陽極氧化原理，根據(jù)對電極箔耐壓值要求的不同，采用不同的陽極氧化電壓（Vf），在其表面生成氧化薄膜（Al2O3）作為介電質(zhì)，制成腐蝕化成箔。化成技術(shù)決定電壓和容量損耗的大小——化成技術(shù)越高，越耐高壓，容量損耗小，壽命越長。
腐蝕和化成工藝段會用到大量的去離子水對鋁箔清洗，水中的金屬離子會直接影響產(chǎn)品性能，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種微電子行業(yè)用高純水，如半導(dǎo)體生產(chǎn)、電子二級管生產(chǎn)、電子線路板生產(chǎn)、新能源電池生產(chǎn)、鋁箔腐蝕化成生產(chǎn)用高純水設(shè)備。
目前一般用高純水設(shè)備的水質(zhì)普遍要求在10兆歐以上，有的要求要達(dá)到15-18兆歐，基本上會采用二級反滲透+edi處理工藝和反滲透+離子交換混床工藝。
應(yīng)用領(lǐng)域和指標(biāo)要求參考：
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用途 |
用水指標(biāo) |
參考標(biāo)準(zhǔn) |
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電導(dǎo)率:10~0.1μs/CM |
我國電子級水質(zhì)技術(shù)指標(biāo)，GB11446-1-1997 |
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● 玻璃鍍膜用水、超聲波、超音波清洗用水 |
電導(dǎo)率:10~0.2μs/CM |
我國電子級水質(zhì)技術(shù)指標(biāo)，GB11446-1-1997 |
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● 涂裝、鋁氧化 |
電導(dǎo)率≤10μs/CM |
飲用純凈水標(biāo)準(zhǔn)（GB17324-98） |
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● 電池用純水 |
電導(dǎo)率≤10μs/CM |
我國電子級水質(zhì)技術(shù)指標(biāo)，GB11446-1-1997 |
主要工藝流程和出水指標(biāo)：
※預(yù)處理+一級反滲透（電導(dǎo)率≤10μs/CM）
※預(yù)處理+一級反滲透+離子交換器（電阻率5~10MΩ.CM）
※預(yù)處理+一級反滲透+EDI（電阻率5~10MΩ.CM）
※預(yù)處理+二級反滲透+EDI（電阻率10~15MΩ.CM）
（詳細(xì)工藝需根據(jù)原水設(shè)計情況進行設(shè)計）
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